Микро-холловский датчик на GaAs/AlGaAs измеряет намагниченность при 15 мК в полях до 30 Тл
Авторы создали многокрестовый микро-холловский датчик для dc-магнитометрии малых объёмных образцов при милликельвиновых температурах и сильных полях и проверили его на трёх материалах.
Многокрестовый микро-холловский датчик из выращенной методом МЛЭ гетероструктуры GaAs/AlGaAs описан в журнале Chinese Physics B doi.org
Chinese Physics Bdoi.orgОткрыть источник ↗. Устройство измеряет dc-намагниченность при температурах до около 15 мК и в постоянных магнитных полях до 30 Тл
doi.org
Chinese Physics Bdoi.orgОткрыть источник ↗. Можно измерять объёмные образцы размером от 100 мкм до 1 мм
doi.org
Chinese Physics Bdoi.orgОткрыть источник ↗.
По данным авторов, разрешение лучше 1 мкТл при возбуждении 1 мкА на частоте 13,77 Гц doi.org
Chinese Physics Bdoi.orgОткрыть источник ↗. Для проверки они записали полевые плато намагниченности квантового магнетика с треугольной решёткой K2Co2(SeO3)3 при 20 мК, антиферромагнитный переход в K3GdTe2O9 около 220 мК и квантовые осцилляции в монокристалле рутения
doi.org
Chinese Physics Bdoi.orgОткрыть источник ↗. В статье также приведена простая схема крепления образца, обеспечивающая воспроизводимость измерений.
