Infineon изготовила работающие силовые приборы на пластинах SiC 300 мм на заводе в Филлахе

Infineon Technologies AG из Мюнхена (Германия) обработала пластины карбида кремния (SiC) диаметром 300 мм в работающие силовые приборы на своём заводе в Филлахе (Австрия), сообщает semiconductor-today.com. По словам компании, она первой сделала это в условиях полноразмерного полупроводникового производства. Работа выполнена на существующем кремниевом технологическом оборудовании. semiconductor-today.comsemiconductor-today.comsemiconductor-today.comОткрыть источник ↗

По данным Infineon, выпуск чипов на пластинах 300 мм технологически более продвинут и существенно эффективнее, чем на пластинах 200 мм: больший диаметр даёт в 2,3 раза больше чипов на пластине. Компания связывает результат с курсом на широкий портфель высокопроизводительных силовых полупроводников на SiC и на долгосрочные поставки. Генеральный директор Йохен Ханебек заявил, что с кремнием, нитридом галлия и теперь карбидом кремния на пластинах 300 мм компания занимает лидирующие позиции для масштабирования производства.

Планы по SiC на 300 мм

Infineon заявляет, что достижение показывает потенциал полноразмерной индустриализации SiC на пластинах 300 мм. Технологию и сроки наращивания выпуска компания будет планировать совместно с заказчиками и партнёрами, продолжая при этом выполнять дорожную карту производства SiC на 200 мм. По данным Infineon, современная силовая технология на SiC даёт заказчикам экономичную и надёжную базу поставок для автомобильной отрасли, возобновляемой энергетики, промышленности и центров обработки данных.

Метод Cold Split на SiC 300 мм

Параллельно Infineon подтвердила осуществимость своей технологии Cold Split на SiC 300 мм на площадке в Дрездене (Германия). Cold Split отделяет пластины от булы SiC с меньшими потерями материала и заметно меньшими затратами времени, чем обычная резка проволокой. Из одного кристалла можно получить больше пластин при меньших капитальных затратах. semiconductor-today.comsemiconductor-today.comsemiconductor-today.comОткрыть источник ↗

Infineon выпускает полупроводники на основе кремния, карбида кремния и нитрида галлия. 27 октября компания объявила об инвестициях около 1,1 млрд евро в завод серийного производства силовых полупроводников на GaN на пластинах 300 мм в Филлахе. Новый результат по SiC распространяет этот подход на второй широкозонный материал.

Обработанную пластину SiC 300 мм Infineon показывает на стенде 502 (зал C3) на выставке электроники в Мюнхене, которая проходит 10–13 ноября.