Samsung Electronics планирует завершить разработку упаковки чипов 3D Cube-H к началу следующего года
По данным ZDNET Korea, Samsung разрабатывает 3D-упаковку чипов на гибридном соединении с шагом около 6 мкм против не менее 25 мкм у термокомпрессии.
Samsung Electronics планирует завершить разработку технологии продвинутой упаковки 3D Cube-H к началу следующего года, сообщило 10 ноября издание ZDNET Korea; пересказ IT Home опубликован на kucoin.com kucoin.com
kucoin.comkucoin.comОткрыть источник ↗. Технология пока находится в разработке.
3D Cube — подход к упаковке, при котором несколько кристаллов укладывают вертикально. По сравнению с традиционным горизонтальным расположением он позволяет разместить больше транзисторов на той же площади. Основное назначение 3D Cube-H — сверхвысокопроизводительные чипы.
От термокомпрессии к гибридному соединению
Ранее Samsung разработала 3D Cube-T на основе термокомпрессионного соединения (TC bonding). Сейчас компания исследует 3D Cube-H с гибридным соединением (hybrid bonding). Шаг в 3D Cube-H составляет около 6 мкм, тогда как у чипов с обычным TC bonding он сейчас не менее 25 мкм.
Комплект проектирования и оценка заказчиками
Осведомлённый источник в отрасли сообщил, что Samsung активно развивает гибридное соединение для трёхмерных системных (логических) чипов. По его словам, компания планирует завершить первый комплект проектирования (design kit) к началу следующего года, после чего начнёт оценку с потенциальными заказчиками kucoin.com
kucoin.comkucoin.comОткрыть источник ↗.
Другой специалист полупроводниковой отрасли заявил, что гибридное соединение заметно повышает плотность связей между кристаллами, снижает энергопотребление на бит и превосходит TC bonding по отводу тепла. Это утверждения источника; измерений в материале нет.
