Чип EliteSiC M4 для инверторов электромобилей: потери ниже на 35%, заявляет производитель
Производитель полупроводников из США выпустил первый чип платформы EliteSiC M4 на 750 В; по его данным, потери ниже на 35%. Выигрыш в километрах не назван.
Американский производитель полупроводников 10 ноября представил четвёртое поколение платформы на карбиде кремния EliteSiC M4. Она предназначена для силовой электроники электромобилей. Первый чип поколения уже доступен, сообщает futurezone.de. futurezone.de
futurezone.defuturezone.deОткрыть источник ↗ Сколько дополнительных километров хода это даст, компания не называет.
Первая доступная модель рассчитана на 750 В и поставляется как bare die, то есть неупакованный полупроводниковый кристалл. Она предназначена для производителей силовых модулей, которые собирают из неё тяговые инверторы. Другие варианты, до 1200 В, должны появиться с 2027 года. Какой автопроизводитель применит чип и когда выйдет серийная модель с ним, компания не сообщает.
Что заявляет производитель
M4 построена на траншейной архитектуре: затвор, управляющий электрод транзистора, расположен в канавке в карбиде кремния. Так на меньшей площади кристалла помещается больше ячеек. Поколение M3e 2024 года использовало планарную конструкцию.
По сравнению с предыдущим поколением компания обещает до 30% большей плотности мощности и на 35% меньшие потери. Удельное сопротивление в открытом состоянии, определяющее потери при протекании тока, снижается на 20–50%. Это данные производителя, независимых измерений пока нет. futurezone.de
futurezone.defuturezone.deОткрыть источник ↗
Большая плотность мощности означает, что кристалл того же размера обрабатывает больший ток. Производители могут уменьшить силовые модули и охлаждение либо получить больше мощности при тех же размерах.
Запас хода и сроки
О запасе хода компания пишет лишь, что более компактные и эффективные тяговые инверторы могут помочь автопроизводителям его улучшить; цифры нет. Харальд Хартель из Шеффлер АГ видит больше возможностей настроить инвертор под запас хода и тепловой режим.
Цифра 35% относится к чипу в сравнении с предшественником; мотор и редуктор она не затрагивает. Прирост хода до 6%, которого в 2021 году ожидал проект SiCeffizient Института Фраунгофера IZM, тогда на стадии прототипа вместе с Бош и Порше, относился ко всему приводу с карбидом кремния и улучшенным охлаждением. На новый чип эту цифру пересчитать нельзя. Сколько километров добавит M4 по сравнению с нынешними карбидкремниевыми чипами, покажут только испытания в готовом автомобиле. futurezone.de
futurezone.defuturezone.deОткрыть источник ↗
В подтверждение надёжности компания приводит более 16 млрд миль, около 25,7 млрд км, пройденных автомобилями с её технологией на карбиде кремния. Эта цифра относится к прежним поколениям чипов.
Бош уже использует в своих SiC-МОП-транзисторах траншейную архитектуру с двумя каналами. Третье поколение снижает удельное сопротивление в открытом состоянии на 20% и делает кристалл на 40% тоньше. Образцы уже передаются автопроизводителям, более широкая доступность намечена на 2027 год, как и у американской компании.
