В Чжэцзянском университете создали зеленые перовскитные светодиоды со сроком службы 1350 часов при 1000 нит
Инженеры разработали прототипы зеленых светодиодов на перовскитах, снизив рабочее напряжение ниже ширины запрещенной зоны для подавления миграции ионов.
Исследователи из Чжэцзянского университета и ряда научных центров Китая сообщили о создании зеленых перовскитных светодиодов (PeLED), продемонстрировавших экспериментально измеренное время полураспада яркости T50 в 1350 часов при начальной яркости 1000 кд/м² nature.com
Nature Communicationsnature.comОткрыть источник ↗. В статье для журнала Nature Communications авторы указали, что максимальная внешняя квантовая эффективность прототипов составила 24,5%, а предельная энергоэффективность преобразования — 28,0%. На базе полученных светодиодов исследователи собрали гибкий дисплейный прототип с активной матрицей для носимой электроники.
Инжекция при субзонном напряжении
Экспериментальный ресурс большинства существующих перовскитных светодиодов видимого спектра при прямых измерениях составлял менее 1000 часов, а более высокие показатели ранее рассчитывались методом экстраполяции. Для решения проблемы деградации авторы поместили фторированный самособирающийся монослой между слоем оксида металла и полимерным дырочно-транспортным слоем. Молекулярная прослойка обеспечила квазиомический контакт при инжекции носителей заряда.
Такая модификация интерфейса позволила снизить рабочее напряжение при яркости около 1000 нит до субзонных значений порядка 2,1 В. Пониженное напряжение предотвращает миграцию ионов в толще перовскита, которая является основным фактором разрушения кристаллической структуры под действием электрического поля.
Световой поток и деградация
Анализ показал, что суммарный выход фотонов за период наработки T50 резко увеличивается именно при переходе к субзонным значениям управляющего напряжения nature.com
Nature Communicationsnature.comОткрыть источник ↗. Как отметили авторы, низковольтная архитектура позволяет удерживать параметры полупроводникового слоя без ускоренного распада при высоких рабочих яркостях. Полученные данные демонстрируют устойчивую работу светоизлучающих структур в условиях, соответствующих требованиям к дисплейным панелям.
