# Сеульский университет: конденсатор переключается при 0,6 В, без пробоя за 1 трлн циклов

- Опубликовано: 2026-11-06 00:37 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: сегнетоэлектрический конденсатор, оксид гафния-циркония, переключение при 0,6 В, триллион циклов, обновление DRAM, электрод из нитрида титана, переключение поляризации, Nature Communications, ячейка памяти 1T1C
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-f0cc9b9d7ed986b7bdd1388e_seulskiy_universitet_kondensator/

**В тесте отдельного конденсатора из оксида гафния-циркония толщиной 5 нм переключение шло при 0,6 В. Это шаг к быстрой и долговечной памяти, но не готовый чип.**

![Seoul National University capacitor switches at 0.6 V, no breakdown over 1 trillion cycles](https://sgzwpqqelzmajkcubgkl.supabase.co/storage/v1/object/public/rt-media/2026/11/a7928a99cb120c4e.jpg)
*Steve Jurvetson, Wikimedia Commons, CC BY 2.0*

Группа под руководством Мин Хёк Пака из Сеульского национального университета сообщила о сегнетоэлектрическом конденсаторе памяти, который переключался между информационными состояниями при 0,6 вольта и оставался различимым после одного триллиона циклов переключения без жёсткого электрического пробоя, сообщает knowridge.com [1]. Работа опубликована в Nature Communications. В ней участвовали Университет Ханян, Поханская ускорительная лаборатория и Samsung Electronics [1].

Исследование демонстрирует отдельный компонент, а не готовую замену современной компьютерной памяти [1].

## Зачем сегнетоэлектрическая память

Обычная DRAM хранит информацию как электрический заряд в конденсаторах. Заряд утекает, поэтому память приходится постоянно обновлять, и это расходует энергию, даже когда данные просто хранятся [1].

Сегнетоэлектрики представляют информацию иначе: направлением внутренней электрической поляризации. Эта ориентация может сохраняться после снятия поля, что способно снизить нагрузку, связанную с обновлением заряда [1].

## Инженерия интерфейса и измеренные результаты

Исследователи использовали слой оксида гафния-циркония толщиной пять нанометров, совместимый с важными полупроводниковыми процессами. Они сосредоточились на его границе с электродом из нитрида титана, где нежелательное окисление может расходовать приложенное напряжение впустую [1].

Управляя структурой электрода и химией его поверхности, команда получила более тонкий и однородный интерфейс. По сообщению авторов, большая часть приложенного напряжения стала действовать на сегнетоэлектрический слой, а поляризация переключалась стабильнее [1].

Переключение половины полной поляризации занимало около 42 наносекунд при 0,6 вольта и около восьми наносекунд при одном вольте [1]. Жёсткого электрического пробоя за триллион циклов не наблюдалось. По более строгому критерию, потере поляризации менее 20%, выносливость составила 600 миллиардов циклов при 0,6 вольта и триллион циклов при одном вольте [1].

Команда также рассмотрела ячейку памяти с одним транзистором и одним конденсатором. Схемное моделирование показало, как поляризация может сохранять читаемое различие после снижения запасённого заряда, а на тестовой матрице изучали устройства с общим электродом [1].

## Ограничения результата

Предсказания более быстрого переключения при меньших размерах — экстраполяции, а не прямые измерения полного чипа памяти. Наряду с числом циклов нужно учитывать время хранения, воспроизводимость при производстве и работу в практических схемах [1].

Работа предлагает подход к проектированию: инженерия интерфейса улучшила скорость и выносливость одновременно, не опираясь только на повышение напряжения [1].

## Источники

1. [knowridge.com](https://knowridge.com/2026/11/low-voltage-memory-component-survives-a-trillion-switches-without-electrical-breakdown/)
2. [Interesting Engineering](https://interestingengineering.com/innovation/ferrolectric-memory-capacitor-trillion-cycles)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-f0cc9b9d7ed986b7bdd1388e_seulskiy_universitet_kondensator/