# Инженеры создали 2D-транзисторы на MoS2 с диэлектриком из угольных наноточек

- Опубликовано: 2026-11-07 01:48 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: углеродные наноточки, двумерные полупроводники, дисульфид молибдена, подзатворный диэлектрик, эквивалентная толщина оксида, атомно-слоевое осаждение
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-ef9c57b69090e90f1d75016e_inzhenery_sozdali_2d/

**Ученые вырастили подзатворные оксиды с эквивалентной толщиной 0,6 нм на 2D-полупроводниках с помощью слоя углеродных точек из каменного угля.**

![Researchers build 2D MoS2 transistors using coal-derived carbon dot dielectrics](https://realtech.media/media/2026/11/07c1d6655ddd321c.png)
*nature.com*

Исследователи из Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне и Национальной лаборатории энергетических технологий создали транзисторы на базе двумерных полупроводников с использованием наноточек из битуминозного угля, сообщает nature.com [1]. Графеноподобные частицы послужили затравочным слоем для осаждения диоксида гафния на каналы из дисульфида молибдена (MoS2) и графена [1]. Полученный гибридный диэлектрик показал эквивалентную толщину оксида (EOT) 0,6 ± 0,1 нм, плотность тока утечки менее 10⁻⁴ А·см⁻² и напряженность пробоя 28 МВ·см⁻¹ [1].

## Формирование интерфейса и свойства изолятора

Непосредственное осаждение диэлектриков на двумерные материалы затруднено отсутствием оборванных связей на их химически инертных ван-дер-ваальсовых поверхностях [1]. Традиционные органические затравки деградируют при температурах ниже 220 °C, а оксидные островки повреждают структуру канала и увеличивают токи утечки [1]. Авторы нанесли из раствора углеродные точки диаметром от 1 до 5 нм и толщиной около 0,4 нм [1]. Частицы сформировали плотный монослой за счет нековалентных связей без разрушения решетки проводящего канала и выдержали нагрев как минимум до 400 °C [1].

## Параметры транзисторов и логические элементы

Полевые транзисторы на MoS2 с верхним затвором продемонстрировали подпороговый размах, близкий к термоионному пределу в 60 мВ/дек, и гистерезис менее 30 мВ [1]. Устройства продемонстрировали околонулевое пороговое напряжение для работы в режиме обогащения и дрейф этого параметра под нагрузкой менее 25 мВ [1]. Достигнутые характеристики позволили исследователям собрать логические схемы, функционирующие при низком напряжении питания 0,5 В [1].

## Источники

1. [nature.com](https://www.nature.com/articles/s41467-026-78053-3)
2. [newswise.com](https://www.newswise.com/articles/coal-derived-carbon-nanodots-enable-next-generation-2d-electronics)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-ef9c57b69090e90f1d75016e_inzhenery_sozdali_2d/