# Samsung Electronics планирует завершить разработку упаковки чипов 3D Cube-H к началу следующего года

- Опубликовано: 2026-11-10 19:40 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: Samsung Electronics, 3D Cube-H, 3D Cube-T, продвинутая упаковка, гибридное соединение, термокомпрессионное соединение, вертикальная укладка чипов, шаг 6 мкм, design kit
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-da638a56384613180cacb626_samsung_electronics_planiruet/

**По данным ZDNET Korea, Samsung разрабатывает 3D-упаковку чипов на гибридном соединении с шагом около 6 мкм против не менее 25 мкм у термокомпрессии.**

![Samsung Electronics plans to finish 3D Cube-H chip packaging development by early next year, report says](https://realtech.media/media/2026/11/097a449f60075d1f.jpg)
*kucoin.com*

Samsung Electronics планирует завершить разработку технологии продвинутой упаковки 3D Cube-H к началу следующего года, сообщило 10 ноября издание ZDNET Korea; пересказ IT Home опубликован на kucoin.com [1]. Технология пока находится в разработке [1].

3D Cube — подход к упаковке, при котором несколько кристаллов укладывают вертикально. По сравнению с традиционным горизонтальным расположением он позволяет разместить больше транзисторов на той же площади [1]. Основное назначение 3D Cube-H — сверхвысокопроизводительные чипы [1].

## От термокомпрессии к гибридному соединению

Ранее Samsung разработала 3D Cube-T на основе термокомпрессионного соединения (TC bonding). Сейчас компания исследует 3D Cube-H с гибридным соединением (hybrid bonding) [1]. Шаг в 3D Cube-H составляет около 6 мкм, тогда как у чипов с обычным TC bonding он сейчас не менее 25 мкм [1].

## Комплект проектирования и оценка заказчиками

Осведомлённый источник в отрасли сообщил, что Samsung активно развивает гибридное соединение для трёхмерных системных (логических) чипов. По его словам, компания планирует завершить первый комплект проектирования (design kit) к началу следующего года, после чего начнёт оценку с потенциальными заказчиками [1].

Другой специалист полупроводниковой отрасли заявил, что гибридное соединение заметно повышает плотность связей между кристаллами, снижает энергопотребление на бит и превосходит TC bonding по отводу тепла [1]. Это утверждения источника; измерений в материале нет.

## Источники

1. [kucoin.com](https://www.kucoin.com/news/flash/samsung-aims-to-complete-3d-cube-h-packaging-tech-by-early-2027)
2. [ithome.com](https://www.ithome.com/1/024/862.htm)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-da638a56384613180cacb626_samsung_electronics_planiruet/