# В Университете Ханьян локализовали зарождение кристаллов 2D-полупроводников

- Опубликовано: 2026-11-07 04:23 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: Университет Ханьян, дисульфид молибдена, нуклеация, двумерные полупроводники, химическое осаждение из газовой фазы, полевой транзистор
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-a3d62a9d6d7c4887fa24712c_v_universitete_khanyan/

**Метод барьерного травления обеспечил рост монокристаллов MoS₂ с подвижностью носителей до 117 см² В⁻¹ с⁻¹ и выходом более 99%.**

![Hanyang University localizes 2D semiconductor nucleation via oxide etching barriers](https://realtech.media/media/2026/11/0289f29cdf6a8ac3.jpg)
*Sangitiana Fararano, Wikimedia Commons, CC BY-SA 2.0*

7 октября 2026 года исследователи из Университета Ханьян представили в журнале *Nature* технологию управляемой нуклеации двухмерных полупроводников под названием EF-SCN [1]. Метод позволяет точно зафиксировать точку формирования зародыша в геометрическом центре заданной области при химическом осаждении из газовой фазы. Эксперименты на двухсантиметровых подложках дисульфида молибдена (MoS₂) продемонстрировали выход монокристаллических областей свыше 99% [1].

## Механизм подавления краевых зародышей

Стандартное селективное осаждение удерживает материал в пределах шаблона, но оставляет координаты появления зародышей стохастическими. Для подавления случайной нуклеации авторы сформировали вокруг зон роста оксидные барьеры. При нагреве барьера из оксида гафния (HfO₂) до 750 °C выделяется поток кислорода, травящий формирующиеся структуры у границ контура [1]. В результате множественные центры кристаллизации разрушаются, а в центре выживает единственный зародыш, разрастающийся в сплошной монокристаллический домен [1].

Замена HfO₂ на диоксид циркония с более низкой температурой кристаллизации позволила снизить порог технологического процесса до 430 °C, сохранив центральное зарождение треугольных кристаллов MoS₂ [1]. Исследователи установили, что поток диэтилсульфида задает количество центров зарождения, а подача прекурсора молибдена регулирует площадь разрастания кристаллической пленки [1].

## Характеристики транзисторов

Метод позволил синтезировать кристаллические области размером около 8 микрометров и заполнить монокристаллическими пленками ячейки шириной 10 микрометров [1]. Полевые транзисторы на базе выращенного дисульфида молибдена показали подвижность носителей заряда до 117 см² В⁻¹ с⁻¹ [1]. При интеграции четырех транзисторов на базе общего кристалла разброс подвижности электронов составил 7,8%, что подтверждает применимость подхода для формирования линейных проводящих каналов и латеральных гетероструктур [1].

## Источники

1. [Nature](https://doi.org/10.1038/s41586-026-11095-1)
2. [EurekAlert](https://www.eurekalert.org/news-releases/1150507)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-a3d62a9d6d7c4887fa24712c_v_universitete_khanyan/