# Infineon изготовила работающие силовые приборы на пластинах SiC 300 мм на заводе в Филлахе

- Опубликовано: 2026-11-10 13:30 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: Infineon SiC 300 мм, пластины карбида кремния, силовые приборы на SiC, завод в Филлахе, технология Cold Split, широкозонные полупроводники, пластины 300 мм, GaN на 300 мм
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-67ddf0648208a79829c9b1de_infineon_izgotovila_rabotayushchie/

**Infineon обработала пластины карбида кремния 300 мм в работающие силовые приборы на кремниевом оборудовании. Чипов на пластине в 2,3 раза больше, чем при 200 мм.**

![Infineon makes functional power devices on 300mm SiC wafers at its Villach fab in Austria](https://realtech.media/media/2026/11/fba59b05abbd2aa5.jpg)
*JanDerChemiker, Wikimedia Commons, CC BY-SA 3.0*

Infineon Technologies AG из Мюнхена (Германия) обработала пластины карбида кремния (SiC) диаметром 300 мм в работающие силовые приборы на своём заводе в Филлахе (Австрия), сообщает semiconductor-today.com. По словам компании, она первой сделала это в условиях полноразмерного полупроводникового производства. Работа выполнена на существующем кремниевом технологическом оборудовании. [1]

По данным Infineon, выпуск чипов на пластинах 300 мм технологически более продвинут и существенно эффективнее, чем на пластинах 200 мм: больший диаметр даёт в 2,3 раза больше чипов на пластине. [1] Компания связывает результат с курсом на широкий портфель высокопроизводительных силовых полупроводников на SiC и на долгосрочные поставки. Генеральный директор Йохен Ханебек заявил, что с кремнием, нитридом галлия и теперь карбидом кремния на пластинах 300 мм компания занимает лидирующие позиции для масштабирования производства.

## Планы по SiC на 300 мм

Infineon заявляет, что достижение показывает потенциал полноразмерной индустриализации SiC на пластинах 300 мм. Технологию и сроки наращивания выпуска компания будет планировать совместно с заказчиками и партнёрами, продолжая при этом выполнять дорожную карту производства SiC на 200 мм. [1] По данным Infineon, современная силовая технология на SiC даёт заказчикам экономичную и надёжную базу поставок для автомобильной отрасли, возобновляемой энергетики, промышленности и центров обработки данных.

## Метод Cold Split на SiC 300 мм

Параллельно Infineon подтвердила осуществимость своей технологии Cold Split на SiC 300 мм на площадке в Дрездене (Германия). Cold Split отделяет пластины от булы SiC с меньшими потерями материала и заметно меньшими затратами времени, чем обычная резка проволокой. Из одного кристалла можно получить больше пластин при меньших капитальных затратах. [1]

Infineon выпускает полупроводники на основе кремния, карбида кремния и нитрида галлия. 27 октября компания объявила об инвестициях около 1,1 млрд евро в завод серийного производства силовых полупроводников на GaN на пластинах 300 мм в Филлахе. Новый результат по SiC распространяет этот подход на второй широкозонный материал. [1]

Обработанную пластину SiC 300 мм Infineon показывает на стенде 502 (зал C3) на выставке электроники в Мюнхене, которая проходит 10–13 ноября.

## Источники

1. [semiconductor-today.com](https://www.semiconductor-today.com/news_items/2026/nov/infineon-091126.shtml)
2. [ithome.com](https://www.ithome.com/1/024/733.htm)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-67ddf0648208a79829c9b1de_infineon_izgotovila_rabotayushchie/