# Huazhong University: сегнетоэлектрические транзисторы AlScN с каналом IGO дали окно памяти 20,6 В на образцах

- Опубликовано: 2026-11-05 02:44 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: нитрид алюминия-скандия, канал из оксида индия-галлия, структура MFMIS, окно памяти 20,6 В, многоуровневое хранение 6 бит, плотность ловушек на границе, FeFET без отжига, нейроморфная аппаратура, совместимость с BEOL
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-605f9c9dfafab670ba944239_huazhong_university_segnetoelektricheskie/

**Сегнетоэлектрические транзисторы на вюрцитном AlScN с ультратонким каналом IGO показали окно памяти 20,6 В, ресурс 10^6 и 64 состояния. Структура MFMIS снизила плотность ловушек на границе.**

![Huazhong University: AlScN ferroelectric transistors with IGO channel show 20.6 V memory window in lab devices](https://sgzwpqqelzmajkcubgkl.supabase.co/storage/v1/object/public/rt-media/2026/11/b1e254a9514513a8.jpg)
*KenShirriff, Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0*

Группа из Huazhong University of Science and Technology (Ухань) и Гонконгского политехнического университета сообщила о сегнетоэлектрических полевых транзисторах (FeFET) на вюрцитном нитриде алюминия-скандия (AlScN) с ультратонким каналом из оксида индия-галлия (IGO). Статья, описывающая приборы без отжига для нейроморфных вычислений, вышла в Nature Communications 3 ноября 2026 года. По данным авторов, лучшая из трёх испытанных структур достигла окна памяти до 20,6 В и ресурса 10^6. [1]

## Почему AlScN и что ему мешает

Вюрцитные сегнетоэлектрики AlScN рассматривают как кандидатов для энергонезависимой памяти (NVM). Причины, которые называют авторы: высокая остаточная поляризация (Pr более 100 мкКл·см−2) и совместимость с технологическими операциями BEOL (back-end-of-line). [1]

Вместе с тем, как отмечают авторы, создание высокопроизводительных вюрцитных FeFET остаётся серьёзной задачей. Препятствия — высокая плотность ловушек на границе раздела (Dit) и большой разброс порогового напряжения (VTH). [1]

Чтобы изучить это, группа изготовила FeFET на AlScN с ультратонким каналом IGO в трёх разных структурах. Авторы сообщают, что переключение поляризации в этих структурах идёт по разным механизмам. [1]

## Результаты для структуры MFMIS

FeFET со структурой металл–сегнетоэлектрик–металл–изолятор–полупроводник (MFMIS) показали, по данным авторов, качественную границу раздела с низким Dit и стабильное VTH. В этой структуре окно памяти достигло 20,6 В, а ресурс составил 10^6. [1]

Приборы также стабильно работали в 6-битном режиме с 64 различимыми состояниями. Авторы представляют это как подтверждение пригодности для многоуровневого хранения данных. [1]

Кроме того, команда продемонстрировала применение FeFET в нейроморфных сетях с точностью распознавания 93,02%. [1]

Работа является лабораторным исследованием отдельных приборов. При изготовлении использовали установку магнетронного напыления в Wuhan National Laboratory for Optoelectronics. Корреспондирующие авторы — Yang Chai и Xuefei Li.

## Источники

1. [Nature Communications](https://doi.org/10.1038/s41467-026-79253-7)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-605f9c9dfafab670ba944239_huazhong_university_segnetoelektricheskie/