# Субмикронное графеновое устройство дало поперечный коэффициент Зеебека 27,9 мкВ/К при комнатной температуре

- Опубликовано: 2026-11-05 02:26 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: поперечный термоэлектрический эффект, графеновые наноструктуры, поперечный коэффициент Зеебека, термоэлектрический коэффициент мощности, измерение тепла на чипе, термоэлектрика при комнатной температуре, графен Шаньдунский университет, измерение теплового потока
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-5dae6e5b5c667aa2f16b9f33_submikronnoe_grafenovoe_ustroystvo/

**Субмикронное графеновое устройство даёт поперечное термоэлектрическое напряжение без магнитного поля и охлаждения, сообщили авторы; это лабораторная демонстрация.**

![Shandong University graphene device shows 27.9 μV/K transverse Seebeck effect at room temperature](https://sgzwpqqelzmajkcubgkl.supabase.co/storage/v1/object/public/rt-media/2026/11/21a96f0cb7a2a99f.jpg)
*Kris Krug, Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0*

Группа из Шаньдунского университета, Южного университета науки и технологий (Шэньчжэнь) и Манчестерского университета, а также коллеги из Университета Цзинани и Университета Кашгара сообщили о субмикронном графеновом устройстве с поперечным термоэлектрическим откликом при комнатной температуре и нулевом магнитном поле. Статья опубликована в Nature Communications 3 ноября 2026 года [1]. Авторы называют этот эффект баллистическим поперечным термоэлектрическим эффектом (BTTE) [1].

## Неоднородный тепловой поток как проблема

По данным статьи, управление теплом в высокоинтегрированных чипах и носимых устройствах ограничено неоднородным распределением теплового потока. Оно затрудняет и точное измерение, и эффективное возвращение энергии на наномасштабе [1]. В поперечном термоэлектрическом эффекте (TTE) градиент температуры и возникающее термоэлектрическое напряжение разнесены в пространстве. Авторы описывают такую геометрию как совместимую с измерением тепла и его сбором на чипе [1].

Авторы отмечают, что прежние реализации TTE требовали сильных внешних магнитных полей или температур ниже температуры жидкого азота [1]. Графеновое устройство из статьи работает без этих условий: при комнатной температуре и без приложенного магнитного поля [1].

## Механизм и измеренные значения

Эффект авторы связывают с асимметричным рассеянием баллистических носителей заряда в субмикронной структуре [1]. Поперечный коэффициент Зеебека устройства достигает 27,9 мкВ·К⁻¹ [1]. Поперечный термоэлектрический коэффициент мощности составляет около 35,8 мкВт·см⁻¹·К⁻² [1].

Поперечное напряжение сохраняет полярность при смене направления градиента температуры [1]. По словам авторов, это позволяет измерять тепловые потоки на наномасштабе и собирать энергию при пространственно неоднородных тепловых условиях [1].

Работа представляет собой демонстрацию на уровне устройства из графена. Интеграция эффекта в чипы или носимые изделия в статье не описана. Для переписки указаны Zihao Zhang, Tao He, Yuxiang Li, Aimin Song и Jiawei Zhang. Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов, статья доступна в открытом доступе.

## Источники

1. [Nature Communications](https://doi.org/10.1038/s41467-026-78890-2)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-5dae6e5b5c667aa2f16b9f33_submikronnoe_grafenovoe_ustroystvo/