# В Cornell создали транзистор на оксиде алюминия-галлия с запрещённой зоной выше 7 эВ

- Опубликовано: 2026-11-05 18:45 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: сверхширокозонный полупроводник, оксид алюминия-галлия, запрещённая зона больше 7 эВ, AlphaFET, легирование кремнием, Корнеллский университет, силовая электроника, исследование в Nature, сапфировая подложка
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-5739a0b5e7f7039c061fe9ce_v_cornell_sozdali/

**Инженеры Cornell вырастили на сапфире плёнку оксида алюминия-галлия с кремнием и сделали из неё диод и транзистор. Прежний рекорд ширины запрещённой зоны — около 6 эВ.**

![Cornell builds transistor from aluminum gallium oxide with bandgap above 7 eV](https://sgzwpqqelzmajkcubgkl.supabase.co/storage/v1/object/public/rt-media/2026/11/3cd09f7eca632f31.webp)
*Interesting Engineering*

Инженеры Корнеллского университета сообщили о полупроводнике с шириной запрещённой зоны более 7 электронвольт и изготовили из него работающие приборы, говорится на news.cornell.edu. Статья опубликована 7 октября в Nature. Материал — оксид алюминия-галлия, легированный кремнием; прежний рекорд составлял около 6 электронвольт [1].

Чем шире запрещённая зона, тем более сильное электрическое поле выдерживает полупроводник до пробоя, что важно для электромобилей и оборудования электросетей. Трудность в том, что материалы с более широкой зоной обычно ведут себя скорее как изоляторы, чем как полупроводники [1]. Старший автор Даррелл Шлом сказал, что первой реакцией коллег было «это невозможно» [1].

## Выращивание и проводимость

Аспирант Джейкоб Стил вырастил тонкие плёнки методом субоксидной молекулярно-лучевой эпитаксии, который позволяет наращивать кристаллический материал слой за слоем в тщательно контролируемых условиях. Атомы кремния ввели при достаточно низкой температуре, благодаря чему в материале появились подвижные электроны, переносящие ток [1].

В диапазоне выше 6 электронвольт легированные плёнки при комнатной температуре показали проводимость более чем в 100 миллионов раз выше ранее описанной для материалов этой категории, по данным исследования [1]. Плёнки выращены на сапфире — подложке, которая широко доступна и выпускается в больших объёмах [1].

## Диод и транзистор AlphaFET

Группы под руководством Хуили Грейс Син и Дебдипа Джены разработали диод и полевой транзистор, названный AlphaFET. Аспирант Дебадитья Бхаттачарья спроектировал, изготовил и измерил прибор [1]. По словам Син, предварительные транзисторы показывают изменение тока более чем на четыре порядка, которым управляют ёмкостно связанный металлический затвор и канал с колоссальной запрещённой зоной [1]. Шлом сказал, что убедился в реальности результата лишь после появления работающих приборов [1].

Дэвид Мюллер и Наоми Печулевски исследовали материал в электронном микроскопе и обнаружили большое число дефектов. Шлом заметил, что это похоже на другие полупроводники в начале их развития и оставляет запас для улучшения свойств материала и приборов [1].

Джена сказал, что для практического применения приборов нужна дальнейшая работа. Среди возможных областей он назвал электрические силовые установки для транспорта, силовую электронику для дата-центров, квантово-каскадные лазеры и фотонные приборы вакуумного ультрафиолета [1].

## Источники

1. [news.cornell.edu](https://news.cornell.edu/stories/2026/11/cornell-semiconductor-sets-record-widest-bandgap)
2. [Interesting Engineering](https://interestingengineering.com/innovation/semiconductor-record-bandgap-evs-power)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-5739a0b5e7f7039c061fe9ce_v_cornell_sozdali/