# Чип EliteSiC M4 для инверторов электромобилей: потери ниже на 35%, заявляет производитель

- Опубликовано: 2026-11-12 07:06 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: карбидкремниевый чип, EliteSiC M4, тяговый инвертор, запас хода электромобиля, траншейная архитектура, кристалл на 750 В, SiC-МОП-транзистор, плотность мощности, Бош карбид кремния, Фраунгофер IZM
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-511083ade8eece285283b6e6_chip_elitesic_m4/

**Производитель полупроводников из США выпустил первый чип платформы EliteSiC M4 на 750 В; по его данным, потери ниже на 35%. Выигрыш в километрах не назван.**

![onsemi releases EliteSiC M4 silicon carbide chip for EV inverters, claims 35% lower losses](https://realtech.media/media/2026/11/fac11d99e076f2ab.webp)
*futurezone.de*

Американский производитель полупроводников 10 ноября представил четвёртое поколение платформы на карбиде кремния EliteSiC M4. Она предназначена для силовой электроники электромобилей. Первый чип поколения уже доступен, сообщает futurezone.de. [1] Сколько дополнительных километров хода это даст, компания не называет. [1]

Первая доступная модель рассчитана на 750 В и поставляется как bare die, то есть неупакованный полупроводниковый кристалл. Она предназначена для производителей силовых модулей, которые собирают из неё тяговые инверторы. [1] Другие варианты, до 1200 В, должны появиться с 2027 года. Какой автопроизводитель применит чип и когда выйдет серийная модель с ним, компания не сообщает. [1]

## Что заявляет производитель

M4 построена на траншейной архитектуре: затвор, управляющий электрод транзистора, расположен в канавке в карбиде кремния. Так на меньшей площади кристалла помещается больше ячеек. Поколение M3e 2024 года использовало планарную конструкцию. [1]

По сравнению с предыдущим поколением компания обещает до 30% большей плотности мощности и на 35% меньшие потери. Удельное сопротивление в открытом состоянии, определяющее потери при протекании тока, снижается на 20–50%. Это данные производителя, независимых измерений пока нет. [1]

Большая плотность мощности означает, что кристалл того же размера обрабатывает больший ток. Производители могут уменьшить силовые модули и охлаждение либо получить больше мощности при тех же размерах. [1]

## Запас хода и сроки

О запасе хода компания пишет лишь, что более компактные и эффективные тяговые инверторы могут помочь автопроизводителям его улучшить; цифры нет. [1] Харальд Хартель из Шеффлер АГ видит больше возможностей настроить инвертор под запас хода и тепловой режим. [1]

Цифра 35% относится к чипу в сравнении с предшественником; мотор и редуктор она не затрагивает. Прирост хода до 6%, которого в 2021 году ожидал проект SiCeffizient Института Фраунгофера IZM, тогда на стадии прототипа вместе с Бош и Порше, относился ко всему приводу с карбидом кремния и улучшенным охлаждением. На новый чип эту цифру пересчитать нельзя. Сколько километров добавит M4 по сравнению с нынешними карбидкремниевыми чипами, покажут только испытания в готовом автомобиле. [1]

В подтверждение надёжности компания приводит более 16 млрд миль, около 25,7 млрд км, пройденных автомобилями с её технологией на карбиде кремния. Эта цифра относится к прежним поколениям чипов. [1]

Бош уже использует в своих SiC-МОП-транзисторах траншейную архитектуру с двумя каналами. Третье поколение снижает удельное сопротивление в открытом состоянии на 20% и делает кристалл на 40% тоньше. Образцы уже передаются автопроизводителям, более широкая доступность намечена на 2027 год, как и у американской компании. [1]

## Источники

1. [futurezone.de](https://www.futurezone.de/produkte/article763192/fuer-elektroautos-kleines-bauteil-koennte-mehr-reichweite-aus-dem-akku-holen.html)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-511083ade8eece285283b6e6_chip_elitesic_m4/