# Микро-холловский датчик на GaAs/AlGaAs измеряет намагниченность при 15 мК в полях до 30 Тл

- Опубликовано: 2026-11-05 11:30 UTC
- Раздел: Наука › Приборы и эксперименты
- Теги: многокрестовый микро-холловский датчик, dc-намагниченность, магнитометрия при милликельвинах, магнитное поле 30 Тл, гетероструктура GaAs/AlGaAs, K2Co2(SeO3)3, K3GdTe2O9, квантовые осцилляции рутений, Chinese Physics B
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-3b6bbd653bffa3ace7c0d1d7_mikro_khollovskiy_datchik/

**Авторы создали многокрестовый микро-холловский датчик для dc-магнитометрии малых объёмных образцов при милликельвиновых температурах и сильных полях и проверили его на трёх материалах.**

![Micro-Hall sensor on GaAs/AlGaAs measures sample magnetization down to 15 mK in fields up to 30 T](https://sgzwpqqelzmajkcubgkl.supabase.co/storage/v1/object/public/rt-media/2026/11/6cc9a4758af2b76a.jpg)
*Antonín Ryska, Wikimedia Commons, CC BY 4.0*

Многокрестовый микро-холловский датчик из выращенной методом МЛЭ гетероструктуры GaAs/AlGaAs описан в журнале Chinese Physics B [1]. Устройство измеряет dc-намагниченность при температурах до около 15 мК и в постоянных магнитных полях до 30 Тл [1]. Можно измерять объёмные образцы размером от 100 мкм до 1 мм [1].

По данным авторов, разрешение лучше 1 мкТл при возбуждении 1 мкА на частоте 13,77 Гц [1]. Для проверки они записали полевые плато намагниченности квантового магнетика с треугольной решёткой K2Co2(SeO3)3 при 20 мК, антиферромагнитный переход в K3GdTe2O9 около 220 мК и квантовые осцилляции в монокристалле рутения [1]. В статье также приведена простая схема крепления образца, обеспечивающая воспроизводимость измерений.

## Источники

1. [Chinese Physics B](https://doi.org/10.1088/1674-1056/aeba69)
2. [arXiv · препринт](https://arxiv.org/abs/2611.06676v1)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-3b6bbd653bffa3ace7c0d1d7_mikro_khollovskiy_datchik/