# В Чжэцзянском университете создали зеленые перовскитные светодиоды со сроком службы 1350 часов при 1000 нит

- Опубликовано: 2026-11-07 21:34 UTC
- Раздел: Машины и производство › Электроника
- Теги: перовскитные светодиоды, стабильность PeLED, зеленый светодиод, квантовая эффективность, гибкий дисплей, миграция ионов
- Адрес: https://realtech.media/ru/news/rt-15aca453e32d3da161d289c0_v_chzhetszyanskom_universitete/

**Инженеры разработали прототипы зеленых светодиодов на перовскитах, снизив рабочее напряжение ниже ширины запрещенной зоны для подавления миграции ионов.**

![Zhejiang University achieves 1350-hour T50 lifetime in green perovskite LEDs at 1000 nits](https://realtech.media/media/2026/11/6eb12aed1f8b593a.jpg)
*Mister rf, Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0*

Исследователи из Чжэцзянского университета и ряда научных центров Китая сообщили о создании зеленых перовскитных светодиодов (PeLED), продемонстрировавших экспериментально измеренное время полураспада яркости T50 в 1350 часов при начальной яркости 1000 кд/м² [1]. В статье для журнала Nature Communications авторы указали, что максимальная внешняя квантовая эффективность прототипов составила 24,5%, а предельная энергоэффективность преобразования — 28,0% [1]. На базе полученных светодиодов исследователи собрали гибкий дисплейный прототип с активной матрицей для носимой электроники.

## Инжекция при субзонном напряжении

Экспериментальный ресурс большинства существующих перовскитных светодиодов видимого спектра при прямых измерениях составлял менее 1000 часов, а более высокие показатели ранее рассчитывались методом экстраполяции [1]. Для решения проблемы деградации авторы поместили фторированный самособирающийся монослой между слоем оксида металла и полимерным дырочно-транспортным слоем [1]. Молекулярная прослойка обеспечила квазиомический контакт при инжекции носителей заряда.

Такая модификация интерфейса позволила снизить рабочее напряжение при яркости около 1000 нит до субзонных значений порядка 2,1 В [1]. Пониженное напряжение предотвращает миграцию ионов в толще перовскита, которая является основным фактором разрушения кристаллической структуры под действием электрического поля.

## Световой поток и деградация

Анализ показал, что суммарный выход фотонов за период наработки T50 резко увеличивается именно при переходе к субзонным значениям управляющего напряжения [1]. Как отметили авторы, низковольтная архитектура позволяет удерживать параметры полупроводникового слоя без ускоренного распада при высоких рабочих яркостях [1]. Полученные данные демонстрируют устойчивую работу светоизлучающих структур в условиях, соответствующих требованиям к дисплейным панелям.

## Источники

1. [Nature Communications](https://doi.org/10.1038/s41467-026-79298-8)

---

Источник: RealTech, realtech.media — https://realtech.media/ru/news/rt-15aca453e32d3da161d289c0_v_chzhetszyanskom_universitete/